| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.02Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■LOGICLEVELCOMPATIBLEINPUT ■175°COPEARTINGTEMPERATUREFORSTA | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  |   | |
N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)55mΩ ID6A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 |  | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
60VN-ChannelMOSFET 文件：1.18877 Mbytes Page：10 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法 |
23+ |
NA/ |
3390 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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ST |
20+ |
TO-220 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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ST/意法 |
2022 |
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80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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ST |
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TO-220 |
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F |
23+ |
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ST |
23+ |
TO220-3 |
16900 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
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门市 |
2018 |
91 |
14 |
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ST |
13+ |
TO-220 |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ST |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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ST |
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TO-220 |
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