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iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=69mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·motordrive,

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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意法半导体意法半导体集团

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更新时间:2025-6-17 17:00:01
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