型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 200V,40A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | |||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 200V,40A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | |||
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件:301.17 Kbytes Page:2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | |||
40A竊?00VN-CHANNELMOSFET 文件:277.63 Kbytes Page:5 Pages | KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司 | |||
N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage 文件:1.28611 Mbytes Page:9 Pages | FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VBsemi |
2020+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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CET |
14+ |
TO252 |
2400 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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CETSEMI |
23+ |
NA/ |
100 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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CET |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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CET |
21+ |
TO252 |
7400 |
原装现货假一赔十 |
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CET |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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CET |
2105+ |
TO-252 |
30000 |
原装正品 |
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CETSEMI |
TO-252 |
35500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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C |
23+ |
TO-252 |
6000 |
原装正品,支持实单 |
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CETSEMI |
TO-252 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
P40N20ZA规格书下载地址
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2020-3-3P540A,P540A01,P540A02,P540A04,P540C0101,P540C0102,
P540A,P540A01,P540A02,P540A04,P540C0101,P540C0102,
2020-3-2P4010S
P4010S,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-15P35-4304-000-200-模拟杂项
特点·宽带0.5-16GHz的·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的·衰减0.5dB步进到31.5分贝·开关速度快·通过提高性能的砷化镓过孔P35-4304-000-200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信,仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线,实现全衰减范围组合。模具制造,使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程(S20)。它是完全
2012-12-20
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