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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
P40B10SL	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.0215Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
P40B10SN	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.0168Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
P40B10SL	PowerMOSFETs100V,40A,N-channel 文件：1.67423 Mbytes Page：7 Pages	SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd 日本新电元工业株式会社
P40B10SN	PowerMOSFETs100V,40A,N-channel 文件：1.66274 Mbytes Page：7 Pages	SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd 日本新电元工业株式会社
40B10	Solidshaft11mmwithEUROflange 文件：359.88 Kbytes Page：4 Pages	IVOBaomeng Electronics (Shanghai) Co., Ltd 堡盟电子堡盟电子（上海）有限公司

P40B10EL供应商更多...

更新时间：2025-5-12 14:58:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	P40B2412S	PHI-CON	23+	DIPSIP	61834	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市科雨电子有限公司	P40C42A12C1-120	TE	20+	继电器	96	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	P40CK492PB0S14010EB		24+	N/A	65000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳庞田科技有限公司	P40C42A12D1-120	P&B	2023+环保现货	专业继电器	6800	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价

P3A9606JKZ
P3A9606JKZ
2024-2-22
P4SMA10CA
P4SMA10CA
2023-5-15
P412W，P413，P413W，P414，P414W，P415，P415W，P421
P412W，P413，P413W，P414，P414W，P415，P415W，P421
2020-3-3
P540A，P540A01，P540A02，P540A04，P540C0101，P540C0102，
P540A，P540A01，P540A02，P540A04，P540C0101，P540C0102，
2020-3-2
P4010S
P4010S，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-15
P35-4304-000-200-模拟杂项
特点·宽带0.5-16GHz的·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的·衰减0.5dB步进到31.5分贝·开关速度快·通过提高性能的砷化镓过孔P35-4304-000-200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信，仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线，实现全衰减范围组合。模具制造，使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程（S20）。它是完全
2012-12-20