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P40B10SL

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.0215Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
P40B10SL

PowerMOSFETs100V,40A,N-channel

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SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD

新电元(上海)电器有限公司

SHINDENGEN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.0168Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

PowerMOSFETs100V,40A,N-channel

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SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD

新电元(上海)电器有限公司

SHINDENGEN

Solidshaft11mmwithEUROflange

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IVOBaomeng Electronics (Shanghai) Co., Ltd

堡盟电子堡盟电子(上海)有限公司

IVO
更新时间:2024-6-5 9:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    P4010S,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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  • P35-4304-000-200-模拟杂项

    特点·宽带0.5-16GHz的·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的·衰减0.5dB步进到31.5分贝·开关速度快·通过提高性能的砷化镓过孔P35-4304-000-200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信,仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线,实现全衰减范围组合。模具制造,使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程(S20)。它是完全

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