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P3NC60FP

N-CHANNEL600V-3.3ohm-3ATO-220/TO-220FPPowerMeshIIMOSFET

ThePowerMESHIIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRonareafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

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N-CHANNEL600V-1.8ohm-3.2ADPAK/IPAKPowerMesh?줚IMOSFET

DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=1.

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ThePowerMESHIIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRonareafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness.

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N-CHANNEL600V-3.3ohm-3A-D2PAK/I2PAKPowerMESHIIMOSFET

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N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-9-23 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
23+
NA/
3550
原厂直销,现货供应,账期支持!
ST
22+
TO-220F
8700
原装现货
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23+
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23+
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23+
220F
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ST/进口原
2310+
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    随时可发货

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  • P4010S

    P4010S,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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  • P35-4304-000-200-模拟杂项

    特点·宽带0.5-16GHz的·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的·衰减0.5dB步进到31.5分贝·开关速度快·通过提高性能的砷化镓过孔P35-4304-000-200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信,仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线,实现全衰减范围组合。模具制造,使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程(S20)。它是完全

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