| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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3 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N60 is a high voltage and high current power MOSFET , designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching app | UTC 友顺 |   | ||
3 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：363.66 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | | ||
Fast Switching 文件：49.9 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08665 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：442.29 Kbytes Page：9 Pages | NELLSEMI 尼尔半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
UTC/友顺 |
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2020-3-3P3403ACL全新原装现货
随时可发货
2019-9-17P4010S
P4010S，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-15P35-4304-000-200-模拟杂项
特点 ·宽带0.5 - 16GHz的 ·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的 ·衰减0.5dB步进到31.5分贝 ·开关速度快 ·通过提高性能的砷化镓过孔 P35 -4304-000 -200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信，仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线，实现全衰减范围组合。模具制造，使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程（S20）。它是完全
2012-12-20
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