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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IRFP31N50L	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.15ohm, Id=31A) Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Low Trr and Soft Diode Recovery ● High Performance Optimised Anti-parallel Diode Applications ● Swit	IRF	IRF
IRFP31N50L	iscN-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Switching Voltage Regulators • FEATURES • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) =0.18Ω (MAX) • Enhancement mode: Vth = 3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation	ISC 无锡固电	ISC
IRFBA31N50L	HEXFET Power MOSFET 文件：41.64 Kbytes Page：3 Pages	IRF	IRF
IRFP31N50L	Power MOSFET 文件：158.19 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFP31N50L	Power MOSFET 文件：201.3 Kbytes Page：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

P31N50供应商更多...

更新时间：2025-12-27 11:35:01

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P3100SALRP
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2023-5-29
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P25Q40H-SSH-IT 集成电路、处理器、微控制器 PUYA
2022-5-5
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2021-10-27
P3232EENSP3232E贴片SOP-16USB转232串口芯片
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2019-11-26
P3403ACL全新原装现货
随时可发货
2019-9-17
P35-4304-000-200-模拟杂项
特点 ·宽带0.5 - 16GHz的 ·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的 ·衰减0.5dB步进到31.5分贝 ·开关速度快 ·通过提高性能的砷化镓过孔 P35 -4304-000 -200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信，仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线，实现全衰减范围组合。模具制造，使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程（S20）。它是完全
2012-12-20