型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
P2N2907AG

Amplifier Transistor

Amplifier Transistor PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available*

ONSEMI

安森美半导体

P2N2907AG

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 包装:散装 描述:TRANS PNP 60V 0.6A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

1.8W PNP GENERAL PURPOSE SAMLL SIGNAL TRANSISTORS

1.8W PNP GENERAL PURPOSE SAMLL SIGNAL TRANSISTORS These transistor are silicon planar pitaxial pnp devices conforming to JEDEC TO-18, BS SO-132A and IEC C7/B11 outlines. They are designed for high speed saturated switching and general purpose application.

STMICROELECTRONICS

意法半导体

PNP switching transistors

DESCRIPTION PNP switching transistor in a TO-18 metal package. NPN complements: 2N2222 and 2N2222A. FEATURES • High current (max. 600 mA) • Low voltage (max. 60 V). APPLICATIONS • Switching and linear amplification.

Philips

飞利浦

Chip Type 2C2907A Geometry 0600 Polarity PNP

Chip type 2C2907A by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Product Summary: APPLICATIONS: Designed for general purpose switching and amplifier applications. Features: Radiation graphs available

Semicoa

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS THE 2N2907, 2N2907A, PN2907, PN2907A ARE PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS FOR GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND MEDIUM SPEED SWITCHING APPLICATIONS.

MICRO-ELECTRONICS

PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS

文件:41.15 Kbytes Page:2 Pages

SIEMENS

西门子

P2N2907AG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    P2N2907AG

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 600mA 60V PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-15 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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