| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=27A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.02Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01533 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-channel 30 V, 0.014, 27 A, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET V Power MOSFET 文件：1.02175 Mbytes Page：21 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01581 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.84437 Mbytes Page：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | |
更新时间：2025-10-17 8:26:01
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