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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 600 V, 0.150 廓, 19.5 A, FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode) PowerFLAT??(8x8) HV

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600 V - 0.150 廓 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh??Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600 V - 0.150 廓 - 20 A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 FDmesh??II Power MOSFET

文件:343.47 Kbytes Page:15 Pages

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意法半导体

N-channel 600 V, 0.150 廓, 19.5 A, FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode) D짼PAK, I짼PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247

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意法半导体

更新时间:2025-12-18 9:11:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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