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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-channel600V,0.150廓,19.5A,FDmesh??IIPowerMOSFET(withfastdiode)PowerFLAT??(8x8)HV

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意法半导体意法半导体集团

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N-channel600V-0.150廓-19A-D2PAK-I2PAK-TO-220/FPTO-247,secondgenerationMDmesh??PowerMOSFET

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N-channel600V-0.150廓-20A-D2/I2PAK-TO-220/FP-TO-247FDmesh??IIPowerMOSFET

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N-channel600V,0.150廓,19.5A,FDmesh??IIPowerMOSFET(withfastdiode)D짼PAK,I짼PAK,TO-220,TO-220FP,TO-247

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更新时间:2025-5-19 16:12:01
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