型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters | VBSEMI 微碧半导体 | |||
Silicon Darlington Transistors High Current, General Purpose Description: The NTE2349 (NPN) and NTE2350 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3 type package designed for use as output devices in general purpose amplifier applications. Features: • High DC Current Gain: hFE = 1000 (Min) @ IC = 25A hFE = 400 (Min) @ IC | NTE | |||
2SC3229 文件:177.97 Kbytes Page:5 Pages | KECKEC CORPORATION KEC株式会社 | |||
1mA, Rail-to-Rail, CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件:141.55 Kbytes Page:7 Pages | BURR-BROWN | |||
1A, Rail-to-Rail I/O CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件:1.1405 Mbytes Page:23 Pages | TI 德州仪器 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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NTE |
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2023-3-10P25-0423 3 A 球面半径头
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P2020NXN2KHC
2022-10-8P2020NXN2KHC
制造商 NXP USA Inc. 系列 QorIQ P2 包装 托盘 零件状态 有源 核心处理器 PowerPC e500v2 内核数/总线宽度 2 ??,32 位 速度 1.2GHz 协处理器/DSP - RAM 控制器 DDR2,DDR3 显示与接口控制器 以太网 10/100/1000Mbps(3) SATA - USB USB 2.0 + PHY(2) 电压 - I/O -
2021-3-16P24C02A-TSH-MIT
P24C02A-TSH-MIT
2019-11-8
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