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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■100V,12.8A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,12.8A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■100V,12.8A,RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=185mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

文件:773.51 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

文件:354.05 Kbytes Page:4 Pages

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET
更新时间:2024-6-17 18:26:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET(华瑞)
23+
TO263
6000
诚信服务,绝对原装原盘
-
21+ROHS
NA
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
C
23+
TO-220
6000
原装正品,支持实单
CET/華瑞
TO-263
499585
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量
CET
24+25+/26+27+
TO-263-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
CET/華瑞
2407+
con
10750
只有原装!量大可以订!一片起卖!
CET/華瑞
22+
DIP
12800
本公司只做进口原装!优势低价出售!
VBSEMI
19+
TO-220
29600
绝对原装现货,价格优势!
SR
23+
TO-220
5000
原装正品,假一罚十
CET
23+
TO-263
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!

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