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CEB13N10中文资料
CEB13N10数据手册规格书PDF详情
FEATURES
100V, 12.8A, RDS(ON) = 180mW @VGS = 10V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
TO-220 & TO-263 package.
Lead free product is acquired.
CEB13N10产品属性
- 类型
描述
- 型号
CEB13N10
- 制造商
CET
- 制造商全称
Chino-Excel Technology
- 功能描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
更新时间：2025-10-10 8:50:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CET-MOS |
10 |
||||||
SR |
23+ |
T0-263 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
CET |
24+ |
50000 |
|||||
CET |
24+ |
TO-263 |
90000 |
进口原装现货假一罚十价格合理 |
|||
哈里斯 |
23+ |
TO-220 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
CET/華瑞 |
2022+ |
TO-263 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
CET |
23+ |
TO-263 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
国产 |
|||
CET/華瑞 |
2511 |
TO-263 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
- |
23+ |
NA |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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Datasheet数据表PDF页码索引
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