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NVHL040N120SC1_V01中文资料

厂家型号

NVHL040N120SC1_V01

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7

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NVHL040N120SC1_V01数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 40 m

• Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 106 nC)

• Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 140 pF)

• 100 UIL Tested

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• Automotive On Board Charger

• Automotive DC−DC converter for EV/HEV

更新时间:2026-2-2 11:19:00
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