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NVHL023N065M3S中文资料

厂家型号

NVHL023N065M3S

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功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NVHL023N065M3S数据手册规格书PDF详情

Features

• Typical RDS(on) = 23 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 69 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 153 pF)

• 100 Avalanche Tested

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Applications

• Automotive On Board Charger

• Automotive DC−DC Converter for EV/HEV

更新时间:2025-11-1 10:49:00
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