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NVBG040N120SC1中文资料

厂家型号

NVBG040N120SC1

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8

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NVBG040N120SC1数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 40 m

• Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 106 nC)

• Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 139 pF)

• 100 Avalanche Tested

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• Automotive On Board Charger

• Automotive DC-DC Converter for EV/HEV

更新时间:2025-11-2 21:47:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
23+
D2PAK-7L
1356
原厂正品现货SiC MOSFET全系列
onsemi
23+
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加QQ:78517935原装正品有单必成
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