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NTH4L160N120SC1中文资料

厂家型号

NTH4L160N120SC1

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8

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 160mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTH4L160N120SC1数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 160 m

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 34 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 49.5 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC-DC Converter

• Boost Inverter

更新时间:2025-10-9 16:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-247-4
8110
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
onsemi
23+
TO-247-4
1356
原厂正品现货SiC MOSFET全系列
ONSEMI
23+
MOSFET
5864
原装原标原盒 给价就出 全网最低
onsemi
21+
130
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系
ON(安森美)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
24+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
ON SEMICONDUCTOR
24+
con
35960
查现货到京北通宇商城
ON
24+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
ON/安森美
22+
24000
原装正品现货,实单可谈,量大价优
ON(安森美)
2511
8484
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价