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NTH4L070N120M3S中文资料

厂家型号

NTH4L070N120M3S

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8

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 65 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTH4L070N120M3S数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 65 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 57 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 57 pF)

• 100 Avalanche Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• Solar Inverters

• Electric Vehicle Charging Stations

• UPS (Uninterruptible Power Supplies)

• Energy Storage Systems

• SMPS (Switch Mode Power Supplies)

更新时间:2025-12-1 14:41:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
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加QQ:78517935原装正品有单必成
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