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NTBG160N120SC1_V01中文资料

厂家型号

NTBG160N120SC1_V01

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329.24Kbytes

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8

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTBG160N120SC1_V01数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 160 m

• Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 33.8 nC)

• Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50.7 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC-DC Converter

• Boost Inverter

更新时间:2025-10-11 9:26:00
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