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NTBG1000N170M1中文资料

厂家型号

NTBG1000N170M1

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8

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 960 mohm, 1700V, M1, D2PAK-7L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTBG1000N170M1数据手册规格书PDF详情

Features

 Typ. RDS(on) = 960 m

 Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 14 nC)

 Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 11 pF)

 100 Avalanche Tested

 RoHS Compliant

Typical Applications

 Solar Inverters

 Electric Vehicle Charging Stations

 Electric Storing Systems

 SMPS (Switch Mode Power Supplies)

 UPS (Uninterruptible Power Supplies)

更新时间:2026-2-18 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
25+
D2PAK
21000
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onsemi
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D2PAK-7L
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原厂正品现货SiC MOSFET全系列
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