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NTBG032N065M3S中文资料

厂家型号

NTBG032N065M3S

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9

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTBG032N065M3S数据手册规格书PDF详情

Features

• Typical RDS(ON) = 32 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 55 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 113 pF)

• 100% Avalanche Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on Second Level Interconnection)

Applications

• SMPS, Solar Inverters, UPS, Energy Storages, EV charging

infrastructure

更新时间:2025-10-14 10:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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