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NTBG023N065M3S中文资料

厂家型号

NTBG023N065M3S

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功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 23mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTBG023N065M3S数据手册规格书PDF详情

Features

 Typical RDS(ON) = 23 m @ VGS = 18 V

 Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 69 nC)

 High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 153 pF)

 100% Avalanche Tested

 This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on Second Level Interconnection)

Applications

 SMPS, Solar Inverters, UPS, Energy Storages,

EV Charging Infrastructure

更新时间:2026-2-23 22:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
25+
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18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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加QQ:78517935原装正品有单必成
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞