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NTBG020N120SC1中文资料

厂家型号

NTBG020N120SC1

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7

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTBG020N120SC1数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 20 m

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC−DC Converter

• Boost Inverter

更新时间:2026-2-25 22:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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TO-263-7
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