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MJD42C数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
· Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO= -100V(Min)
· Collector-Emitter Saturation Voltage
-VCE(sat):= -1.5V(Max) @IC= -6A
·Complement to Type MJD41C
APPLICATIONS
· Designed for low power audio amplifier and low-current,
high-speed switching applications
MJD42C产品属性
- 类型
描述
- 型号
MJD42C
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-252 |
2176 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
onsemi |
24+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
ON |
TO-251 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
ON |
23+ |
DPAK |
56000 |
||||
CJ |
20+ |
TO-252 |
30000 |
全新原装公司现货
|
|||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
5000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
CJ |
23+ |
TO-252 |
30000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON |
24+ |
DPAK |
14950 |
||||
ON/安森美 |
2023+ |
SMD |
15000 |
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站 |
|||
ON |
新批号 |
TO-252AA |
8321 |
MJD42CT4G 价格
参考价格：￥1.3784
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 26652条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
