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MJD42C中文资料
MJD42C产品属性
- 类型
描述
- 型号
MJD42C
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
TO-252 |
2176 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
onsemi |
24+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
ON |
TO-251 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
ON |
23+ |
DPAK |
56000 |
||||
ON |
23+ |
TO-252 |
76000 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
CJ |
20+ |
TO-252 |
30000 |
全新原装公司现货
|
|||
ON/安森美 |
2024+实力库存 |
TO-252 |
5000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
CJ |
20+ |
TO-252 |
30000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
CJ/长电 |
23+ |
TO-252 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
ON/安森美 |
TO-252 |
货真价实,假一罚十 |
25000 |
MJD42CT4G 价格
参考价格：￥1.3784
MJD42C 资料下载更多...
MJD42C 芯片相关型号
MJD42C 晶体管资料
MJD42C别名：MJD42C三极管、MJD42C晶体管、MJD42C晶体三极管
MJD42C生产厂家：韩国三星公司
MJD42C制作材料：
MJD42C性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）
MJD42C封装形式：贴片封装
MJD42C极限工作电压：
MJD42C最大电流允许值：6A
MJD42C最大工作频率：<1MHZ或未知
MJD42C引脚数：3
MJD42C最大耗散功率：20W
MJD42C放大倍数：
MJD42C图片代号：G-217
MJD42Cvtest：0
MJD42Chtest：999900
- MJD42Catest：6
MJD42Cwtest：20
MJD42C代换 MJD42C用什么型号代替：
ISC相关电路图
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
