位置：MJD42C > MJD42C详情
MJD42C中文资料
MJD42C数据手册规格书PDF详情
Descriptiona
Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package.
Features
Complement to MJD41C.
Applications
Medium power linear switching applications.
MJD42C产品属性
- 类型
描述
- 型号
MJD42C
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
更新时间：2025-6-18 9:24:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-252 |
2176 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
onsemi |
24+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
ON |
TO-251 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
ON |
23+ |
DPAK |
56000 |
||||
CJ |
20+ |
TO-252 |
30000 |
全新原装公司现货
|
|||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
5000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
CJ |
23+ |
TO-252 |
30000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON |
24+ |
DPAK |
14950 |
||||
ON/安森美 |
2023+ |
SMD |
15000 |
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站 |
|||
ON |
新批号 |
TO-252AA |
8321 |
MJD42CT4G 价格
参考价格：￥1.3784
型号：MJD42CT4G 品牌：ON 备注：这里有MJD42C多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJD42C批发/采购报价，MJD42C行情走势销售排排榜，MJD42C报价。
MJD42C 资料下载更多...
MJD42C 芯片相关型号
- 1510134306
- 1718560010
- 250LLE3.3MEFC6.3X11
- 450QXW82MEFC14.5X35
- C0603C820J2GACTU
- C0603X102J2GACAUTO
- CSR2512
- CSR2512A
- CSR2512B0R005F
- CSR2512B2
- HVC0402H
- HVC0603H
- HVC4020H
- ISP817AXSMT-R
- MLK0603L15NJT000
- NCP15XV103J03RC
- PFS35-0R01J1
- SFH615A-4XSM
- T496B227K004CT631B
- T496B227M020CT621B
- T496C227K016CH631B
- T496C227K020CT631B
- T496C227K025CC631B
- T496C227M035CT641B
- T496D227K006CT641B
- T496X227K025CH631B
- T496X227K035CT631B
- T496X227M004CT641B
- T496X227M020CT621B
- T496X227M050CH631B
FOSHAN相关芯片制造商
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 佛山市蓝箭电子股份有限公司
中文资料: 1911条
佛山市蓝箭电子股份有限公司（Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.）是广东省高新技术企业，国内半导体器件专业研发制造商。公司前身是佛山市无线电四厂，创建于七十年代初。 1998年转制成有限责任公司，2012年股改为佛山市蓝箭电子股份有限公司。目前已形成年产100亿只的生产规模，是华南地区主要的半导体器件生产基地之一。 公司厂区位于佛山市禅城区，厂房面积4.5万平方米。公司拥有大量先进的生产线，产品系列有各种封装的双极型晶体管、场效应晶体管(MOSFET)、各种开关、稳压、肖特基(SBD)、快恢复(FRD)等二极管、晶闸管(可控硅)、集成电路（IC)等，产
