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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -60V, -2A, RDS(ON) = 160mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 208mW @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. SOT-23-T package. RoHS compliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

dPMR Filterless IF LSI

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AKM

旭化成微电子

FM IF Detector with Narrow Band Filter

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AKM

旭化成微电子

Clock Generator With Built-in VCXO

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ROHM

罗姆

Clock Generator with Built-in VCXO for Audio/Video Equipments

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ROHM

罗姆

更新时间:2025-8-11 23:01:01
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