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TMOS POWER FET 75 AMPERES 50 VOLTS

HDTMOS E-FET™ High Enegy Power FET D2PAK for Surface Mount N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate The D2PAK package has the capability of housing a larger die than any existing surface mount package which allows it to be used in applications that require the use of surface mount component

Motorola

摩托罗拉

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Fast Switching Speed

文件:58.95 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:280.43 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N?묬hannel Power MOSFET

文件:246.16 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

OM75N05SW产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    OM75N05SW

  • 功能描述

    50V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a D3 package

更新时间:2025-11-18 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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3000
原装正品,支持实单
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标准封装
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电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

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    www.hfxcom.com

    2021-11-15
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    可立即发货

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  • OM9401SF-32V的5A条单通道高新技术REL的IGBT栅极驱动器在一个F-12A条包

    特征 ·坚固,气密封装 ·内置带故障短路保护输出 ·高共模抑制比光电耦合器 · CMOS / TTL兼容输入接口 描述 这种密封栅极驱动器系列,非常适合用于驱动CERMODTM家庭的IGBT功率模块,在小尺寸,高性能和高可靠性是必需的。专为高功率马达控制,逆变器,开关电源供应器,斩波器和高能量脉冲电路航空航天,国防,交通,工业和医疗设备等行业。

    2013-2-25
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    特点 •经营下降到1V差,1.5V@最大。当前 •0.015%的线路调整 •0.01%的负载调节 •1%参考电压 •密封TO- 257和TO- 258隔离包 •电相当于LT1083,84,85和86 描述 这三个终端正可调稳压器的设计提供7.5A,5A,3A,1.5A,具有较高的效率比传统的电压调节器。 “设备的设计操作,以1伏的输入输出差和辍学电压被指定为负载电流的函数。所有器件引脚兼容老式三端稳压器。提供易

    2013-1-14