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PMDXB950UPE中文资料
PMDXB950UPE数据手册规格书PDF详情
1. General description
Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small
DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench
MOSFET technology.
2. Features and benefits
• Trench MOSFET technology
• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM
• Drain-source on-state resistance RDSon = 1.02 Ω
3. Applications
• Relay driver
• High-speed line driver
• High-side load switch
• Switching circuits
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PMDXB950UPEZ 价格
参考价格：￥1.1351
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