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位置：PMDXB600UNEZ > PMDXB600UNEZ详情

厂家型号	PMDXB600UNEZ
文件大小	734.63Kbytes
页面数量	15页
功能描述	20 V, dual N-channel Trench MOSFET
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	NEXPERIA

1. General description

Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small

DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

• Trench MOSFET technology

• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm

• Exposed drain pad for excellent thermal conduction

• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM

• Drain-source on-state resistance RDSon = 470 mΩ

3. Applications

• Relay driver

• High-speed line driver

• Low-side load switch

• Switching circuits

PMDXB600UNEZ供应商...

更新时间：2026-3-5 16:10:00

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参考价格：￥1.1351

型号：PMDXB600UNEZ 品牌：NXP Semiconductors 备注：这里有PMDXB600UNEZ多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，PMDXB600UNEZ批发/采购报价，PMDXB600UNEZ行情走势销售排排榜，PMDXB600UNEZ报价。