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PHB32N06LT中文资料

厂家型号

PHB32N06LT

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856.58Kbytes

页面数量

11

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

MOSFET TAPE13 MOSFET

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

NEXPERIA

PHB32N06LT数据手册规格书PDF详情

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Suitable for logic level gate drive

sources

1.3 Applications

General purpose switching

Switched-mode power supplies

PHB32N06LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHB32N06LT

  • 功能描述

    MOSFET TAPE13 MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-1 9:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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PHB32N06LT,118 价格

参考价格:¥2.9322

型号:PHB32N06LT,118 品牌:NXP 备注:这里有PHB32N06LT多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,PHB32N06LT批发/采购报价,PHB32N06LT行情走势销售排排榜,PHB32N06LT报价。