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PHB2N60E中文资料

厂家型号

PHB2N60E

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

PHB2N60E数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 6Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

更新时间:2025-10-9 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
3000
公司存货
恩XP
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
C&K
24+
SMD
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
C&KCOMPONENTS
23+
NA
12730
原装正品代理渠道价格优势
C&K
ROHS+Original
原封阻容元件
1000000
C&K
42
C&K
24+
con
10000
查现货到京北通宇商城
C&K
24+
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2500
优势库存,原装正品
C&KCOMPONENTS
2447
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C&K
2021+
-
499

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