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制造商:
Infineon
产品种类:
MOSFET
RoHS:
?详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TDSON-8
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
34 V
Id-连续漏极电流:
98 A
Rds On-漏源导通电阻:
3.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
2.5 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
1.27 mm
长度:
5.9 mm
系列:
BSC883N03
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
5.15 mm
商标:
Infineon Technologies
下降时间:
4 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
4.4 ns
工厂包装数量:
5000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
26 ns
典型接通延迟时间:
6.4 ns
零件号别名:
BSC883N03LSGATMA1 SP000507422 BSC883N3LSGXT BSC883N03LSGATMA1
