Easy 1B， 2B封装的 CoolSiC? MOSFET产品
结合英飞凌两大产品的优势:Easy封装，实现低杂散电感的基准；1200 V 的CoolSiC?MOSFET，显著降低系统和运营成本。在拓扑结构上，该系列产品满足了电动汽车充电应用的需要，如高频率运行和DC-DC功率级的大输出变化。
目标应用
?电动汽车充电
?DC/DC 变换器
?工业焊机
?高频开关应用
?不间断电源（UPS）系统
?太阳能系统
特点
?Easy封装的CoolSiC?MOSFET产品具有最低的杂散电感
?优越的栅氧化层的可靠性
?与硅相比，开关损耗降低了近80%，因此能够实现更高的搅拌摩擦开关(fsw)操作
?具有低反向恢复电荷的本征二极管
?最高阈值电压为Vth > 4V
?在一个小的Easy封装中含有多个开关，实现非常紧凑的解决方案
?CoolSiC? MOSFET作为英飞凌芯片组合的补充
主要元件
?F4-23MR12W1M1_B11
?F3L15MR12W2M1_B69
优势
?操作上具有更高的开关速度，可达50 kV /μs
?转炉系统寿命更长
?高效率和低冷却需求，降低了系统和操作成本
?提高功率密度
?更有效地克服寄生参数造成的开通干扰性
?简化系统集成和制造工作
?优化单个转换器拓扑的混合模块解决方案
