制造商 Infineon Technologies
制造商零件编号 IPD350N06LGBTMA1
描述 MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
原厂标准交货期 13 周
详细描述 表面贴装型-N-通道-60V-29A（Tc）-68W（Tc）-PG-TO252-3
标准包装 2，500
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 OptiMOS?
其它名称 IPD350N06L G
IPD350N06L G-ND
IPD350N06LG
IPD350N06LGBTMA1TR
SP000443746
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 29A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 28μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 13nC @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 68W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
优势供应：
HMC694LP4ETR
HMC695LP4ETR
HMC699LP5ETR
HMC700LP4ETR
HMC701LP6CETR
HMC702LP6CETR
HMC703LP4ETR
HMC704LP4ETR
HMC706LC3CETR
HMC707LP5ETR
HMC708LP5ETR
HMC709LC5ETR
IPD350N06LGBTMA1
HMC710LC5ETR
HMC711LC5ETR
HMC713LP3ETR
HMC713MS8ETR
HMC7149
HMC7150LP4DETR
HMC715LP3ETR
HMC722LC3CETR
HMC722LP3ETR
HMC723LC3CETR
HMC723LP3ETR
HMC724LC3CETR
HMC725LC3CETR
HMC726LC3CETR
HMC727LC3CETR
HMC733LC4BETR
HMC734LP5ETR
HMC7357LP5GETR
HMC735LP5ETR
HMC737LP4ETR
HMC739LP4ETR
HMC740ST89E
HMC740ST89ETR
HMC741ST89ETR
HMC743ALP6CETR
IPD350N06LGBTMA1
HMC744LC3ETR
HMC745LC3ETR
HMC746LC3CETR
HMC747LC3CETR
HMC748LC3CETR
