晶体管SI2301CDS-T1-GE3原装热卖!

发布企业:深圳市宏捷佳电子科技有限公司时间:2020-1-6 11:22:00

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制造商 Vishay Siliconix

制造商零件编号 SI2301CDS-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)

原厂标准交货期 14 周

详细描述 表面贴装型-P-通道-20V-3.1A(Tc)-860mW(Ta)-1.6W(Tc)-SOT-23-3(TO-236)

标准包装 3,000

包装 标准卷带

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 TrenchFET?

其它名称 SI2301CDS-T1-GE3TR

SI2301CDST1GE3

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 112 毫欧 @ 2.8A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V

Vgs(最大值) ±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 405pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 860mW(Ta),1.6W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

优势供应:

M51450G

EL7536IYZ

EL7536IYZ-T7

SI2301CDS-T1-GE3

EL7536IYZ(BFAAA)

SN74AHC1G14DBVR

SI2301CDS-T1-GE3

SD1169

SRFE1169

AD620AN

24LC641

MRFA1600

MRA1600-6

MRF1600-2

PH1600-30

MRA1600-2

PH1600-32

PH1600-1.5

MRA1600-30

PH1600-6.5

S08K31

LVC16245A

LVC16244A

UF2010R

TA7201S

MRF136Y

ST9917

ATF10136

SI2301CDS-T1-GE3

M2557BM

PA7674

MGF1601

D1217UK

P9030MB

MRF9030S

MRF9030GR1

MRF9030MR1

MRF9030MBR1

MRF9030GNR1

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

2025-8-10 20:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SI2301CDS-T1-GE3
VISHAY/威世
100000
代理渠道/只做原装/可含税
SI2301CDS-T1-GE3
VISHAY
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SOT23-3
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只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
SI2301CDS-T1-GE3
VISHAY/威世
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SOT-23
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免费送样原盒原包现货一手渠道联系
SI2301CDS-T1-GE3
Vishay(威世)
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56846
只做原厂渠道 可追溯货源