制造商 Vishay Siliconix
制造商零件编号 SI2301CDS-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
原厂标准交货期 14 周
详细描述 表面贴装型-P-通道-20V-3.1A（Tc）-860mW（Ta）-1.6W（Tc）-SOT-23-3（TO-236）
标准包装 3，000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 TrenchFET?
其它名称 SI2301CDS-T1-GE3TR
SI2301CDST1GE3
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 405pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 860mW（Ta），1.6W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
优势供应：
M51450G
EL7536IYZ
EL7536IYZ-T7
SI2301CDS-T1-GE3
EL7536IYZ(BFAAA)
SN74AHC1G14DBVR
SI2301CDS-T1-GE3
SD1169
SRFE1169
AD620AN
24LC641
MRFA1600
MRA1600-6
MRF1600-2
PH1600-30
MRA1600-2
PH1600-32
PH1600-1.5
MRA1600-30
PH1600-6.5
S08K31
LVC16245A
LVC16244A
UF2010R
TA7201S
MRF136Y
ST9917
ATF10136
SI2301CDS-T1-GE3
M2557BM
PA7674
MGF1601
D1217UK
P9030MB
MRF9030S
MRF9030GR1
MRF9030MR1
MRF9030MBR1
MRF9030GNR1
