SLVU2.8-4.TBT SLVU2.8-4EPD TVS二极管阵列，用于ESD和锁存保护
描述特征电路图原理图和PIN配置修订版1/18/2008 SLV系列瞬态电压抑制器旨在保护低压、最先进的CMOS半导体免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。这些设备是使用Semtech专有的EPD工艺技术制造的。EPD工艺提供了较低的隔离电压，与硅平衡二极管工艺相比，漏电流和电容显著降低。SLVU2.8-4的特点是集成了低电容补偿二极管，可将每条线的典型电容降低到5pF。这与低漏电流相结合，意味着在10/100以太网等高速应用中可以保持信号完整性。SLVU2.8-4采用SO-8封装，可用于保护两条高速线路对。“直通”设计最大限度地减少了迹线电感，并减少了与ESD事件相关的电压过冲。SLVU2.8-4的低箝位电压将受保护IC上的应力降至最低。SLV系列TVS二极管将满足IEC 61000-4-2第4级的浪涌要求。
400瓦峰值脉冲功率（tp=8/20µs）高速数据线的瞬态保护，符合IEC 61000-4-2（ESD）±15kV（空气）、±8kV（接触）IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）IEC 61000-25（闪电）24A（8/20µs）保护两对线对（四条线）全面引脚设计，便于电路板布局低电容低漏电流低工作和箝位电压固态EPD TVS工艺技术
机械特性
JEDEC SO-8包装模塑料易燃等级：UL 94V-0标记：零件号、日期代码、徽标包装：胶带和卷轴
应用
10/100以太网WAN/LAN设备交换系统台式机、服务器和笔记本电脑仪表基站模拟输入
产品属性 属性值 选择属性
制造商: Semtech
产品种类: ESD保护二极管/TVS二极管
RoHS:
极性: Bidirectional
通道数量: 4 Channel
工作电压: 2.8 V
端接类型: SMD/SMT
钳位电压: 15 V
击穿电压: 2.8 V
封装 / 箱体: SOIC-8
Ipp - 峰值脉冲电流: 24 A
峰值脉冲功耗 (Pppm): 400 W
Cd - 二极管电容 : 5 pF
Vesd - 静电放电电压触点: 8 kV
Vesd - 静电放电电压气隙: 15 kV
产品类型: ESD Suppressors
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 125 C
系列: SLV
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Semtech
电流额定值: 1 uA
包装：500
子类别: TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
单位重量: 170 g
