IRS2108STRPBF半桥驱动器，进口原装正品大量现货库存， 有需求欢迎咨询
功能•为自举操作设计的浮动通道•可完全运行至+600 V•可耐受负瞬态电压，dV/dt免疫•栅极驱动电源范围为10 V至20 V•两个通道的欠压锁定•3.3 V、5 V和15 V输入逻辑兼容•防交叉传导逻辑•两个通道的匹配传播延迟•高压侧输出与HIN输入同相•低压侧输出与输入异相•逻辑和电源接地+/-5 V偏移•内部540 ns死区时间，可编程至5µs，带一个外部RDT电阻器（IRS21084）•较低的di/dt栅极驱动器，具有更好的抗噪性，符合RoHS标准
说明IRS2108/IRS21084是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V
制造商: Infineon
产品种类: 栅极驱动器
产品: IGBT, MOSFET Gate Drivers
类型: High-Side, Low-Side
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
激励器数量: 2 Driver
输出端数量: 2 Output
输出电流: 290 mA
电源电压-最小: 10 V
电源电压-最大: 20 V
上升时间: 220 ns
下降时间: 80 ns
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
特点: Synchronous
高度: 1.5 mm
长度: 5 mm
逻辑类型: CMOS, TTL
最大关闭延迟时间: 200 ns
最大开启延迟时间: 220 ns
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 1.6 mA
Pd-功率耗散: 625 mW
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 300 ns
包装数量：2500
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
宽度: 4 mm
单位重量: 540 mg
