BSP51E6327 中文资料 数据手册 详细参数

发布企业:深圳市威尔健半导体有限公司时间:2025-5-19 16:14:00

企业深圳市威尔健半导体有限公司

联系人:苏经理

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地址:深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17e

BSP51E6327 60000PCS
BSP51E6327

BSP51E6327

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOT-223-4

类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 45V

直流电流增益(hFE): 2000

耗散功率(Pd): 1.5W

类目: 达林顿管

2026-5-20 22:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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