制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 1.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 700 mV
Qg-栅极电荷: 2.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 540 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4.8 ns
正向跨导 - 最小值: 1.3 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: MOSFETs
上升时间: 9.5 ns
工厂包装数量：3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 9.7 ns
典型接通延迟时间: 2.5 ns
宽度: 1.3 mm
单位重量: 8 mg
