IRFB3607PBF

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2024-12-25 9:36:00

企业深圳市毅创辉电子科技有限公司

联系人:刘春兰

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地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

进口代理

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 75 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 7.34 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V

Qg-栅极电荷: 84 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 140 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFETs

工厂包装数量:1000

子类别: Transistors

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.4 mm

单位重量: 2 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

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2025-8-15 22:50:00
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