THGAMVG8T13BAIL 是东芝(Toshiba)生产的一种 NAND 闪存芯片,专门为移动设备和嵌入式应用提供高存储容量和高性能的解决方案。以下是其主要应用功能和参数:
应用功能
高容量存储:提供大容量数据存储,适合智能手机、平板电脑、SSD 和其他需要大数据存储的设备。
高性能读取/写入:支持快速的数据传输速率,满足现代应用对快速存取的需求,提升系统响应速度。
低功耗:优化的电源管理设计,有助于延长电池供电设备的续航时间。
数据可靠性:内置纠错码(ECC)和坏块管理技术,提高数据存储的完整性和可靠性。
扩展温度范围:适用于广泛的温度范围,使其在各种环境下都能稳定运行。
简化集成:支持标准化的接口和协议,便于与其他系统组件的集成。
关键参数
存储类型:NAND 闪存
存储容量:通常提供较高的存储容量,具体规格可能因产品系列而异
接口类型:常采用标准的 NAND 接口,具体接口类型需根据数据手册确认
工作温度:适合商业或工业温度范围,通常为 -40°C 至 85°C(具体取决于产品规格)
封装类型:多种封装选项,以满足不同的设计和应用需求