THGAMVG8T13BAIL 是东芝（Toshiba）生产的一种 NAND 闪存芯片，专门为移动设备和嵌入式应用提供高存储容量和高性能的解决方案

THGAMVG8T13BAIL 是东芝（Toshiba）生产的一种 NAND 闪存芯片，专门为移动设备和嵌入式应用提供高存储容量和高性能的解决方案。以下是其主要应用功能和参数：

应用功能

高容量存储：提供大容量数据存储，适合智能手机、平板电脑、SSD 和其他需要大数据存储的设备。

高性能读取/写入：支持快速的数据传输速率，满足现代应用对快速存取的需求，提升系统响应速度。

低功耗：优化的电源管理设计，有助于延长电池供电设备的续航时间。

数据可靠性：内置纠错码（ECC）和坏块管理技术，提高数据存储的完整性和可靠性。

扩展温度范围：适用于广泛的温度范围，使其在各种环境下都能稳定运行。

简化集成：支持标准化的接口和协议，便于与其他系统组件的集成。

关键参数

存储类型：NAND 闪存

存储容量：通常提供较高的存储容量，具体规格可能因产品系列而异

接口类型：常采用标准的 NAND 接口，具体接口类型需根据数据手册确认

工作温度：适合商业或工业温度范围，通常为 -40°C 至 85°C（具体取决于产品规格）

封装类型：多种封装选项，以满足不同的设计和应用需求