型号：NJW21193G
onsemi
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编号：863-NJW21193G
制造商编号：
NJW21193G
制造商：onsemi
客户编号:
客户编号
说明：
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200W PNP
数据表:
NJW21193G 数据表 (PDF) 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 250 V
集电极—基极电压 VCBO: 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 1.4 V
最大直流电集电极电流: 16 A
Pd-功率耗散: 200 W
增益带宽产品fT: 4 MHz
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
系列: NJW21194
封装: Tube
商标: onsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min: 20
直流电流增益 hFE 最大值: 80
高度: 18.7 mm
长度: 15.6 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
30
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 4.8 mm
单位重量: 6.756 g
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