STGD5NB120SZ-1价格

参考价格:¥4.6570

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STGD5NB120SZ-1

N-CHANNEL 5A -1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT

DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “S” identifies a family optimized achieve minimum on-voltage drop for low frequency a

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGD5NB120SZ-1

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 包装:管件 描述:IGBT 1200V 10A 75W IPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGD5NB120SZ-1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGD5NB120SZ-1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-22 18:11:00
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