发布企业：深圳市毅创辉电子科技有限公司时间：2022-12-16 9:26:00
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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.65 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 275 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: Trenchstop IGBT5
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: IGBT Transistors
240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
宽度: 5.31 mm
单位重量: 6.049 g
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 24+ | N/A | 9855 | 原装正品现货支持实单 | ||
IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | 23+ | 原装 | 8000 | 只做原装现货 | ||
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