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IKWH50N65EH7 | High speed and low saturation voltage 650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 technology copacked with soft, fast recovery Emitter Controlled 7 diode Features • VCE = 650 V • IC = 50 A • Low switching losses • Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat • Very soft, fast recovery antiparallel diode • Smooth switching behavior • Humidity robustness • Optimized for hard switching, two- and three-level topologies • Complete produ | Infineon 英飞凌 |   | |
High speed and low saturation voltage 650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 technology copacked with soft, fast recovery Emitter Controlled 7 diode Features • VCE = 650 V • IC = 50 A • Low switching losses • Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat • Very soft, fast recovery antiparallel diode • Smooth switching behavior • Humidity robustness • Optimized for hard switching, two- and three-level topologies • Complete produ | Infineon 英飞凌 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Infineon Technologies |
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INFINEON |
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Infineon/英飞凌 |
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全新原装现货 支持第三方机构验证
2022-9-3IL-312-A100S-VF-A1
IL-312-A100S-VF-A1，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-14IL217AT原盘进口环保
瀚佳科技： 专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28IL33153-单IGBT的栅极驱动器
单IGBT的栅极驱动器 该IL33153是专门设计为高功率应用，包括AC IGBT驱动器感应电机控制，直流无刷电机控制和不间断电源。虽然离散和模块驱动IGBT的设计，这种装置可为驱动成本效益的解决方案功率MOSFET和双极型晶体管。保护功能包括设备选择饱和或过流检测和欠压检测。这些器件可在dualinline和表面贴装封装，并包括以下特点： 特征 •高电流输出级：1.0一个Source/2.0水槽对于传统和意识的IGBT保护电路• •可编程故障消隐时间 •过电流保护和
2013-3-2
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