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IKW50N65RH5

TRENCHSTOPTM 5 H5 IGBT co-packed with half-rated 6th generation CoolSiCTM Schottky barrier diode

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Infineon

英飞凌

IKW50N65RH5

650 V Hybrid CoolSiC™ IGBT Discrete

Infineon

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封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:INDUSTRY 14 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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TRENCHSTOPTM 5 H5 IGBT co-packed with half-rated 6th generation CoolSiCTM Schottky barrier diode

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更新时间:2025-11-17 23:00:00
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