参数名称 参数值
Source Content uid TPD1E05U06DPYR
Brand_Name Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1286216090
包装说明 R-PBCC-N2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.80
风险等级 1.76
其他特性 ULTRA LOW CAPACITANCE
最大击穿电压 8.5 V
最小击穿电压 6.5 V
击穿电压标称值 7.5 V
最大钳位电压 18 V
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 R-PBCC-N2
JESD-609代码 e4
湿度敏感等级 1
最大非重复峰值反向功率耗散 40 W
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度） 260
极性 UNIDIRECTIONAL
参考标准 IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5
最大重复峰值反向电压 5.5 V
最大反向电流 0.01 μA
反向测试电压 2.5 V
子类别 Transient Suppressors
表面贴装 YES
技术 AVALANCHE
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 NO LEAD
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
