ESD9B5.0ST5G中文产品资料功能描述

时间:2022-6-6 11:11:00

ESD9B5.0ST5G中文产品资料

参数名称 参数值

Source Content uid ESD9B5.0ST5G

Brand_Name ON Semiconductor

是否无铅 不含铅 不含铅

生命周期 Active

Objectid 1647646483

包装说明 R-PDSO-F2

针数 2

制造商包装代码 514AB

Reach Compliance Code compliant

ECCN代码 EAR99

HTS代码 8541.10.00.50

Factory Lead Time 66 weeks

风险等级 1.45

Samacsys Description ON SEMICONDUCTOR - ESD9B5.0ST5G - DIODE, TVS, 5V, SOD-923

Samacsys Manufacturer onsemi

其他特性 LOW CAPACITANCE, EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY

最大击穿电压 7.8 V

最小击穿电压 5.8 V

击穿电压标称值 6.8 V

最大钳位电压 12.5 V

配置 SINGLE

二极管元件材料 SILICON

二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

JESD-30 代码 R-PDSO-F2

JESD-609代码 e3

湿度敏感等级 1

元件数量 1

端子数量 2

最高工作温度 150 °C

最低工作温度 -55 °C

封装主体材料 PLASTIC/EPOXY

封装形状 RECTANGULAR

封装形式 SMALL OUTLINE

峰值回流温度(摄氏度) 260

极性 UNIDIRECTIONAL

最大功率耗散 0.3 W

认证状态 Not Qualified

参考标准 IEC-61000-4-2, 4-4

最大重复峰值反向电压 5 V

子类别 Transient Suppressors

表面贴装 YES

技术 AVALANCHE

端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed

端子形式 FLAT

端子位置 DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间 40